簡(jiǎn)要描述:GR-75-9氣氛保護(hù)回轉(zhuǎn)窯適用于電子材料,如鈦酸鋇、碳酸鍶、碳酸壩、碳酸鈣、二氧化鈦、二氧化鋯、氧化鋁,石墨類(lèi)和鈷酸鋰、錳酸鋰、鎳酸鋰、磷酸鐵鋰、三元材料鋰電池粉體材料等生產(chǎn)用設(shè)備;
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品牌 | 廈門(mén)地坤 | 產(chǎn)地類(lèi)別 | 國(guó)產(chǎn) |
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應(yīng)用領(lǐng)域 | 綜合 |
GR-75-9氣氛保護(hù)回轉(zhuǎn)窯
中試用-氣氛保護(hù)回轉(zhuǎn)窯GR-75-9
主要技術(shù)參數(shù):
1.高溫度:1050℃
2.使用溫度:950℃
3.使用氣氛:氮?dú)?空氣
4.爐管尺寸φ310x3100(mm)
5.加熱方式:鎳鉻合金絲加熱
6.保溫材料:陶瓷纖維;
7.溫區(qū)數(shù):3區(qū)
8. 爐管材料:SUS310S耐熱不銹鋼
9.爐管轉(zhuǎn)速:1~6 r/min無(wú)級(jí)變頻調(diào)速,由轉(zhuǎn)動(dòng)電機(jī)、減速機(jī)、齒輪傳動(dòng)裝置、鏈條傳動(dòng)裝置等構(gòu)成,可實(shí)現(xiàn)自動(dòng)和手動(dòng)轉(zhuǎn)換;
10.表面溫升溫:≤室溫+35℃
11.大功率:75KW
12.保溫功率:45KW
13.報(bào)警系統(tǒng): 整窯設(shè)有過(guò)載、爐管停轉(zhuǎn)、超溫等報(bào)警保護(hù)功能;
14. 控制方式:PLC和觸模屏
GR-75-9氣氛保護(hù)回轉(zhuǎn)窯適用于電子材料,如鈦酸鋇、碳酸鍶、碳酸壩、碳酸鈣、二氧化鈦、二氧化鋯、氧化鋁,石墨類(lèi)和鈷酸鋰、錳酸鋰、鎳酸鋰、磷酸鐵鋰、三元材料鋰電池粉體材料等生產(chǎn)用設(shè)備;
磁性材料:NFC、鎳梓鐵氧體、錳鋅鐵氧體等生產(chǎn)用設(shè)備;
KY法晶體生長(zhǎng)爐
30kg級(jí)晶體生長(zhǎng)爐
詳細(xì)描述:
凱氏長(zhǎng)晶法(Kyropoulos method),簡(jiǎn)稱(chēng)KY法,又稱(chēng)之為泡生法.其原理與柴氏拉晶法(Czochralskimethod)類(lèi)似,先將原料加熱至熔點(diǎn)后熔化形成熔湯,再以單晶之晶種(SeedCrystal,又稱(chēng)籽晶棒)接觸到熔湯表面,在晶種與熔湯的固液界面上開(kāi)始生長(zhǎng)和晶種相同晶體結(jié)構(gòu)的單晶,晶種以極緩慢的速度往上拉升,但在晶種往上拉晶一段時(shí)間以形成晶頸,待熔湯與晶種界面的凝固速率穩(wěn)定后,晶種便不再拉升,也沒(méi)有作旋轉(zhuǎn),僅以控制冷卻速率方式來(lái)使單晶從上方逐漸往下凝固,后凝固成一整個(gè)單晶晶碇. 我司可提供30kg級(jí)、70kg級(jí)設(shè)備。
ZWJ高溫晶體生長(zhǎng)爐
詳細(xì)描述:
此項(xiàng)目為高溫氧化物晶體生長(zhǎng)設(shè)備,為國(guó)內(nèi)用戶(hù)定制。爐體鐘罩式升降,放置坩堝和維護(hù)熱場(chǎng)。
底部坩堝升降,籽晶在坩堝底部,坩堝桿帶水冷。
采用分子泵或油擴(kuò)散泵,控制系統(tǒng)帶有PLC和摸觸屏。
ZTD-800B單晶硅爐
ZTD-900B單晶硅爐
ZTD-950B單晶硅爐
設(shè)備用途:
本設(shè)備為生產(chǎn)太陽(yáng)能電池用的單晶爐,坩堝尺寸18-22英寸,產(chǎn)量從60-130Kg,單晶硅棒直徑6.5-8英寸,設(shè)備高度為6.1-6.7米,主要可生產(chǎn)主流8英寸單晶硅棒。
本公司可提供生長(zhǎng)工藝,保證生長(zhǎng)出合格的單晶硅。設(shè)有樣機(jī),歡迎來(lái)人參觀考察。
技術(shù)參數(shù):
型號(hào) | 名稱(chēng) | 額定功率 | 額定溫度 | 主爐室尺寸 | 熔料重量 |
ZTD-800B | 單晶硅爐 | 140KW | 1600℃ | 800×1050mm | 60KG |
ZTD-900B | 單晶硅爐 | 160KW | 1600℃ | 900×1050mm | 90KG |
ZTD-950B | 單晶硅爐 | 180KW | 1600℃ | 950×1050mm | 130KG |
ZW-50-20鎢網(wǎng)燒結(jié)爐
主要技術(shù)參數(shù):
1.額定功率:50KW
2.額定電壓:380V
3.Max.溫度:2000℃
4.工作區(qū)尺寸:Φ140*200
5.極限真空:8*10-4Pa
6.壓升率:<3Pa/小時(shí)
7.保護(hù)氣氛:氫氣
8.加熱區(qū):一區(qū)
ZG-80真空熔煉爐
80kg真空熔煉爐ZG-80
主要技術(shù)參數(shù):
1.額定功率:160KW
2.額定電壓:380V
3.Max.溫度:1700℃
4.冷態(tài)極限真空:5X10-3Pa
5.保護(hù)氣氛:Ar
ZT-50-16Y真空熱壓爐
1.額定功率:50KW
2.額定溫度:1600℃
3.工作區(qū)尺寸:?250×200
4.極限真空度:5X10-2Pa
5.Max.壓力:35噸
6.大位移:雙向各100mm
7.加壓方式:雙向
8.充氣壓力:0.015MPa
SPS-60T-30-Ⅲ燒結(jié)爐
主要技術(shù)參數(shù):
型號(hào):SPS-60T-30-Ⅲ
1.額定功率:300KW
2.額定電壓:380V
3.Max.溫度: 2300℃
4.輸出電流:30000A
5.輸出電壓:10V
6.極限真空:5X10-2Pa
7.保護(hù)氣氛:Ar
8.Max.壓力:60T
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